Материалы по тегу: ddr5

14.07.2023 [19:40], Алексей Степин

Samsung и SK Hynix работают над снижением энергопотребления оперативной памяти

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

 Источник: SK Hynix

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1089995
28.06.2023 [13:27], Сергей Карасёв

Team Group представила DDR5 и SSD, способные пережить нагрев до +105 °C

Компания Team Group анонсировала индустриальные модули оперативной памяти DDR5 WT U-DIMM и DDR5 WT SO-DIMM, а также SSD серии N745-M80. Продукты предназначены для эксплуатации в экстремальных условиях: это могут быть автомобильные компьютеры, встраиваемые безвентиляторные системы, промышленное оборудование и пр.

Модули DDR5 WT U-DIMM и DDR5 WT SO-DIMM доступны в вариантах с частотой 4800 и 5600 МГц. Ёмкость может составлять 8, 16 и 32 Гбайт. Диапазон рабочих температур — от -40 до +85 °C. Напряжение питания равно 1,1 В.

Накопители N745-M80 выполнены в формате М.2 2280. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 x4. Доступны три варианта — вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1700 Мбайт/с. Величина MTBF превышает 3 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

 Источник изображения: Team Group

Источник изображения: Team Group

Team Group подчёркивает, что все представленные продукты способны переживать повышение температуры до +105 °C. Они соответствуют стандартам MIL-STD-202G, MIL-STD-883K и MIL-STD810G, что означает устойчивость к ударам и другим физическим воздействиям. На память DDR5 предоставляется пожизненная гарантия, на SSD — трёхлетняя.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1089073
08.06.2023 [15:38], Сергей Карасёв

Micron представила 96-Гбайт модули памяти DDR5-4800 RDIMM

Компания Micron Technology объявила о начале массовых поставок модулей оперативной памяти DDR5-4800 RDIMM объёмом 96 Гбайт. Изделия ориентированы на ИИ-серверы, платформы НРС, системы глубокого обучения и высоконагруженные аппаратные комплексы. По заявлениям разработчика, новые модули обеспечивают вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с DDR4-3200 — 378 Гбайт/с против 189 Гбайт/с.

Память Micron DDR5-4800 RDIMM полностью совместима с процессорами AMD EPYC Genoa. Новые модули уже применяются в сервере Supermicro 8125GS. В дальнейшем изделия возьмут на вооружение и другие поставщики серверных систем. Ранее отмечалось, что «небинарные» чипы и модули DDR5 позволят сократить расходы на память, давая возможность подобрать оптимальные количество и ёмкость DIMM и не переплачивать за избыточный объём RAM.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

«Модуль Micron DDR5 DRAM ёмкостью 96 Гбайт представляет собой новое решение, разработанное с прицелом на оптимизацию совокупной стоимости владения для наших клиентов», — заявил Правин Вайдьянатан (Praveen Vaidyanathan), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Compute Products Group компании Micron.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1088079
03.06.2023 [14:10], Алексей Степин

ADATA продемонстрировала память следующего поколения: CAMM, CXL и MR-DIMM

На ежегодной выставке Computex 2023 компания ADATA продемонстрировала свои первые модули памяти нового поколения, которые будут использоваться в современных вычислительных системах: CAMM, CXL и MR-DIMM.

Для серверных систем компания продемонстрировала решение на базе стандарта CXL 1.1 с интерфейсом PCI Express 5.0 x4, выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль несёт на борту контроллер Montage Technology и предназначен для расширения основного объёма оперативной памяти, подобно решениям DCPMM. При этом у Samsung, например, уже есть DRAM с поддержкой CXL 2.0.

Интересно выглядит также другое серверное решение — MR-DIMM (multi-ranked buffered DIMM). Это новое поколение буферизированной памяти, поддержка которой появится в следующих поколениях процессоров AMD и Intel. По сути, такой модуль объединяет два RDIMM в одном, что позволяет поднять ёмкость и производительность «малой кровью».

Скорость этих последних новинок стартует с отметки 8400 Мт/с, максимальное значение пока составляет 17600 Мт/с. Модули MR-DIMM Adata будут поставляться в объёмах 16, 32, 64, 128 и 192 Гбайт. Одним из инициаторов создания стандарта MR-DIMM (или MRDIMM) стала AMD. Intel, Renesas и SK hynix работают над похожим решением — MCR DIMM.

Наконец, у компании уже есть готовый дизайн модуля CAMM в форм-факторе, который призван заменить SO-DIMM в компактных, сверхкомпактных и переносных системах. Интересно, что каждый модуль CAMM на базе LPDDR5 изначально будет поддерживать работу в двухканальном режиме. Правда, спецификации CAMM будут завершены только во второй половине этого года, так что некоторые характеристики могут измениться.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1087853
04.04.2023 [20:09], Сергей Карасёв

AMD и JEDEC готовят сверхбыстрые модули памяти DDR5 MRDIMM

Компания AMD и ассоциация JEDEC, по сообщению ресурса HotHardware, проектируют модули оперативной памяти DDR5 RAM нового типа — MRDIMM, или Multi-Ranked Buffered DIMM. Речь идёт об изделиях с многоранговой буферизацией, ориентированных на серверное оборудование. Модули обеспечат высочайшую скорость передачи данных — до 17 600 МТ/с.

По задумке разработчиков, решения MRDIMM будут объединять два модуля DDR5 с возможностью одновременного использования двух рангов. Таким образом, в случае, например, пары модулей DDR5 со скоростью работы 4400 МТ/с можно будет получить эквивалентную производительность до 8800 МТ/с.

 Источник изображения: Robert Hormuth / LinkedIn

Источник изображения: Robert Hormuth / LinkedIn

Для использования такой схемы потребуется специальный мультиплексор между оперативной памятью и CPU. Он позволит направлять в сторону процессора вдвое больше информации по сравнению с традиционными архитектурами. Аналогичный подход применяет SK hynix в своей памяти DDR5 MCR DIMM. Такой подход обеспечивает удвоение скорости работы подсистемы ОЗУ без увеличения быстродействия самих чипов памяти. По всей видимости, буферизация с применением мультиплексора добавит некоторую задержку при передаче информации, но она будет компенсироваться более высокой скоростью работы сдвоенных модулей.

Память MRDIMM первого поколения сможет функционировать с показателем 8800 МТ/с, второго — 12 800 МТ/с. А после 2030 года ожидается появление решений со скоростью до 17 600 МТ/с. Новая память может стать альтернативой дорогостоящим продуктам HBM, которые масштабируются только до определённого значения ёмкости. При этом объединение двух модулей DDR5 избавит от необходимости добавлять дополнительные ОЗУ-слоты на серверные материнские платы. Как в случае MCR, подход MRDIMM всё так же напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1084509
15.01.2023 [01:14], Алексей Степин

Последний Optane: Intel предложит модули PMem 300 для Xeon Sapphire Rapids и Emerald Rapids

Несмотря на то, что страница истории, посвящённая созданию энергонезависимой памяти Optane, официально закрыта Intel, третье поколение модулей DCPMM всё-таки увидит свет и дополнит собой платформы Sapphire Rapids и Emerald Rapids (если к этому моменту они останутся в наличии). Об этом стало известно благодаря слайду, опубликованному в Twitter. Несмотря на принадлежность модулей PMem 300 (Crow Pass) к третьему поколению, в них испоьзуются кристаллы второго поколения, четырёхслойные Barlow Pass.

В Crow Pass применён новый контроллер Crow Valley с интерфейсом DDR-T2. Этот интерфейс позволяет создавать пулы Optane PMem объёмом до 4 Тбайт на сокет (8 × 512 Гбайт). Кроме того, DDR-T2 шина функционирует на вдвое более высокой частоте, нежели у ячеек памяти. И если PMem 200 предлагали интерфейс 3200 МТ/с, то в PMem 300 будут реализованы скорости 4000-4400 МТ/с, что более-менее соответствует параметрам модулей DDR5 DRAM, которые в серверных системах обычно имеют скорость 4800 МТ/с.

 Источник: Twitter/9550pro

Источник: Twitter/9550pro

Соответствующим образом возрастёт производительность. Данные приводятся для режима 2RW1 (две операции чтения на одну операцию записи), и если первое поколение PMem ограничивается 4 Гбайт/с, а второе останавливается на отметке 4,83 Гбайт/с, то третье сможет развивать линейные скорости в районе 6 Гбайт/с. Ещё сильнее вырастет производительность в случайных операциях, с 1–1,2 Гбайт/с до 3 Гбайт/с.

Кроме того, в Crow Pass будут дополнены протоколы сохранения данных в случае потери питания — в дополнение к обычному режиму ADR появится FastADR. Как и предыдущие поколения PMem, Optane PMem 300 смогут работать в режиме App Direct, в качестве дополнения обычной DRAM и в смешанном режиме. Теплопакет у новинок, к слову, не изменился и составляет те же 15 Вт с возможностью кратковременного увеличения для повышения производительности, если есть запас по охлаждению.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1080311
06.01.2023 [15:06], Алексей Степин

«Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД

Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты —  от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к 64-Гбайт модулям или 128-Гбайт. Модулей с промежуточной ёмкостью не существует, вернее, не существовало до недавних пор. Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т.д. Это так называемая «небинарная» память.

В отличие от обычных DIMM, в основе которых лежат микросхемы DRAM ёмкостью 16 Гбит, в новых модулях DDR5 применяются чипы ёмкостью 24 Гбит. Использование таких чипов позволяет получить и 768 Гбайт на модуль DIMM. К настоящему времени все крупные производители памяти, включая Samsung, SK-Hynix и Micron уже анонсировали «небинарные» чипы DDR5 ёмкостью 24 Гбит, сообщает The Register.

 Источник: SK hynix

Источник: SK hynix

У современных серверов стоимость памяти может достигать 14 % от стоимости всего сервера, а в облачных средах даже приближается к 50 %. Но если, например, реальная потребность в памяти составляет 3 Гбайт на поток, то системе с 96-ядерным процессором AMD EPYC 9004 нужно 576 Гбайт памяти. Использование 32-Гбайт модулей в 12 имеющихся каналов даст только 384 Гбайт RAM (недостача 192 Гбайт), а 64-Гбайт — сразу 768 Гбайт (избыток 192 Гбайт). При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC (в случае Genoa этого режима пока всё равно нет).

А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Существуют и другие методы решения этой проблемы — например, использование CXL (впрочем, SK hynix уже предлагает 96-Гбайт CXL-модули как раз на базе 24-Гбит чипов DDR5) или процессоров с интегрированной высокоскоростной памятью. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1079867
08.12.2022 [16:07], Сергей Карасёв

SK hynix представила DDR5 MCR DIMM — самую быструю в мире серверную память

Компания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800.

MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.

 Источник изображений: SK hynix

Источник изображений: SK hynix

Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти.

Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1078561
14.10.2022 [11:52], Сергей Карасёв

SMART Modular представила низкопрофильные модули DDR5-4800 ECC высотой всего 18,75 мм

Компания SMART Modular Technologies, подразделение SGH, анонсировала модули оперативной памяти ECC UDIMM стандарта DDR5 с низкопрофильным исполнением (Very Low Profile). Изделия обладают повышенной надёжностью и могут эксплуатироваться в жёстких условиях.

Модули семейства DuraMemory имеют высоту 18,75 мм. Они предназначены для использования в blade-серверах, ориентированных на применение в телекоммуникационной сфере, в составе edge-платформ, сетевых инфраструктур, СХД и пр. Анонсированы решения ёмкостью 16 и 32 Гбайт (CL40). Представлены изделия с частотой 4800 МГц, но также ведётся разработка версий с частотой 5600 МГц.

 Источник изображения: SMART Modular Technologies

Источник изображения: SMART Modular Technologies

Для коммерческих решений температурный диапазон простирается от 0 до +70 °C. Индустриальные модули DDR5 VLP ECC UDIMM рассчитаны на работу при температурах от -40 до +85 °C. Они имеют защитное покрытие и фиксирующие зажимы для обеспечения надёжной работы в разных условиях эксплуатации. Применяемые в составе модулей резисторы устойчивы к воздействию серы. Приём заказов на новинки уже начался. Более подробную информацию о них можно найти на этой странице.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1075744
03.08.2022 [20:20], Алексей Степин

Microchip представила контроллеры памяти SMC 2000: два канала DDR4-3200/DDR5-4800 и 16 линий CXL

Экосистема CXL продолжает формироваться: идея дезагрегации ресурсов встретила тёплый отклик рынка, всё чаще появляются новые решения с поддержкой данного стандарта. Развивается и сам стандарт — буквально на днях были приняты и опубликованы спецификации CXL 3.0. А компания Microchip Technology представила новые контроллеры памяти с поддержкой CXL и двух каналов DDR4-3200 или DDR5-4800.

Коммутаторы и контроллеры для среды CXL компания выпускала и ранее, но серия SMC 2000 является новинкой, которая послужит мостом между памятью DDR4/DDR5 и CXL-шиной. В новой серии представлены контроллеры с конфигурацией 8×32G (PM8701) и 16×32G (PM8702), отвечающие набору спецификаций CXL 2.0 (Type 3) и 1.1. Вариант 16×32G к тому же является самым производительным в индустрии на сегодняшний день: он поддерживает сразу 16 линий CXL, способных работать на скорости 32 ГТ/с (PCIe 5.0).

 Источник: Microchip Technology

Источник: Microchip Technology

Это серьёзный шаг вперёд по сравнению с контроллером SMC 1000 первого поколения, чьи возможности были ограничены формулой 8×25G. Данный чип специально разрабатывался для модулей Open Memory Interface (OMI), но данная технология практически не «взлетела», оказавшись ограниченной рамками платформы IBM POWER. В итоге все наработки по OMI и OpenCAPI были переданы в руки консорциума CXL.

 CXL позволит легко наращивать объёмы памяти. Источник: SK hynix

CXL позволит легко наращивать объёмы памяти. Источник: SK hynix

Серию SMC 2000 явно ждёт более успешная судьба: новые чипы позволят создавать высокоскоростные двухканальные модули объёмом от 512 Гбайт. К тому же они поддерживают стекирование микросхем DRAM — до четырёх слоёв на канал. А это открывает дорогу к ещё более серьёзным объёмам. Более подробно о SMC 2000 можно узнать на сайте производителя.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1071495
Система Orphus