Материалы по тегу: ddr5
15.01.2023 [01:14], Алексей Степин
Последний Optane: Intel предложит модули PMem 300 для Xeon Sapphire Rapids и Emerald RapidsНесмотря на то, что страница истории, посвящённая созданию энергонезависимой памяти Optane, официально закрыта Intel, третье поколение модулей DCPMM всё-таки увидит свет и дополнит собой платформы Sapphire Rapids и Emerald Rapids (если к этому моменту они останутся в наличии). Об этом стало известно благодаря слайду, опубликованному в Twitter. Несмотря на принадлежность модулей PMem 300 (Crow Pass) к третьему поколению, в них испоьзуются кристаллы второго поколения, четырёхслойные Barlow Pass. В Crow Pass применён новый контроллер Crow Valley с интерфейсом DDR-T2. Этот интерфейс позволяет создавать пулы Optane PMem объёмом до 4 Тбайт на сокет (8 × 512 Гбайт). Кроме того, DDR-T2 шина функционирует на вдвое более высокой частоте, нежели у ячеек памяти. И если PMem 200 предлагали интерфейс 3200 МТ/с, то в PMem 300 будут реализованы скорости 4000-4400 МТ/с, что более-менее соответствует параметрам модулей DDR5 DRAM, которые в серверных системах обычно имеют скорость 4800 МТ/с. Соответствующим образом возрастёт производительность. Данные приводятся для режима 2RW1 (две операции чтения на одну операцию записи), и если первое поколение PMem ограничивается 4 Гбайт/с, а второе останавливается на отметке 4,83 Гбайт/с, то третье сможет развивать линейные скорости в районе 6 Гбайт/с. Ещё сильнее вырастет производительность в случайных операциях, с 1–1,2 Гбайт/с до 3 Гбайт/с. Кроме того, в Crow Pass будут дополнены протоколы сохранения данных в случае потери питания — в дополнение к обычному режиму ADR появится FastADR. Как и предыдущие поколения PMem, Optane PMem 300 смогут работать в режиме App Direct, в качестве дополнения обычной DRAM и в смешанном режиме. Теплопакет у новинок, к слову, не изменился и составляет те же 15 Вт с возможностью кратковременного увеличения для повышения производительности, если есть запас по охлаждению.
06.01.2023 [15:06], Алексей Степин
«Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОДНаращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к 64-Гбайт модулям или 128-Гбайт. Модулей с промежуточной ёмкостью не существует, вернее, не существовало до недавних пор. Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т.д. Это так называемая «небинарная» память. В отличие от обычных DIMM, в основе которых лежат микросхемы DRAM ёмкостью 16 Гбит, в новых модулях DDR5 применяются чипы ёмкостью 24 Гбит. Использование таких чипов позволяет получить и 768 Гбайт на модуль DIMM. К настоящему времени все крупные производители памяти, включая Samsung, SK-Hynix и Micron уже анонсировали «небинарные» чипы DDR5 ёмкостью 24 Гбит, сообщает The Register. У современных серверов стоимость памяти может достигать 14 % от стоимости всего сервера, а в облачных средах даже приближается к 50 %. Но если, например, реальная потребность в памяти составляет 3 Гбайт на поток, то системе с 96-ядерным процессором AMD EPYC 9004 нужно 576 Гбайт памяти. Использование 32-Гбайт модулей в 12 имеющихся каналов даст только 384 Гбайт RAM (недостача 192 Гбайт), а 64-Гбайт — сразу 768 Гбайт (избыток 192 Гбайт). При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC (в случае Genoa этого режима пока всё равно нет). А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов. Существуют и другие методы решения этой проблемы — например, использование CXL (впрочем, SK hynix уже предлагает 96-Гбайт CXL-модули как раз на базе 24-Гбит чипов DDR5) или процессоров с интегрированной высокоскоростной памятью. Однако ничто не мешает сочетать эти технологии, добиваясь, таким образом, ещё большей гибкости.
08.12.2022 [16:07], Сергей Карасёв
SK hynix представила DDR5 MCR DIMM — самую быструю в мире серверную памятьКомпания SK hynix объявила о создании рабочих образцов памяти DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM: это, как утверждается, самые производительные модули DRAM для серверов на сегодняшний день. Изделия имеют эквивалентную производительность DDR5-8000, что значительно больше по сравнению с широко распространёнными продуктами DDR5-4800. MCR DIMM — двухранговая память, спроектированная совместно со специалистами Intel и Renesas. В модулях обеспечивается одновременное использование двух рангов, для чего служит специальный буфер данных между DRAM и CPU. Данный подход напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM. ![]() Источник изображений: SK hynix Такая архитектура даёт возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону CPU по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без увеличения быстродействия собственно чипов памяти. ![]() Говорится, что достижение стало возможным благодаря сочетанию опыта SK hynix по проектированию модулей DRAM, передовых технологий Intel, используемых в процессорах Xeon, и буферной технологии Renesas. Для стабильной работы модулей MCR DIMM необходимо согласованное взаимодействие между буфером данных и CPU. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, но сроков начала массового производства не называет.
14.10.2022 [11:52], Сергей Карасёв
SMART Modular представила низкопрофильные модули DDR5-4800 ECC высотой всего 18,75 ммКомпания SMART Modular Technologies, подразделение SGH, анонсировала модули оперативной памяти ECC UDIMM стандарта DDR5 с низкопрофильным исполнением (Very Low Profile). Изделия обладают повышенной надёжностью и могут эксплуатироваться в жёстких условиях. Модули семейства DuraMemory имеют высоту 18,75 мм. Они предназначены для использования в blade-серверах, ориентированных на применение в телекоммуникационной сфере, в составе edge-платформ, сетевых инфраструктур, СХД и пр. Анонсированы решения ёмкостью 16 и 32 Гбайт (CL40). Представлены изделия с частотой 4800 МГц, но также ведётся разработка версий с частотой 5600 МГц. ![]() Источник изображения: SMART Modular Technologies Для коммерческих решений температурный диапазон простирается от 0 до +70 °C. Индустриальные модули DDR5 VLP ECC UDIMM рассчитаны на работу при температурах от -40 до +85 °C. Они имеют защитное покрытие и фиксирующие зажимы для обеспечения надёжной работы в разных условиях эксплуатации. Применяемые в составе модулей резисторы устойчивы к воздействию серы. Приём заказов на новинки уже начался. Более подробную информацию о них можно найти на этой странице.
03.08.2022 [20:20], Алексей Степин
Microchip представила контроллеры памяти SMC 2000: два канала DDR4-3200/DDR5-4800 и 16 линий CXLЭкосистема CXL продолжает формироваться: идея дезагрегации ресурсов встретила тёплый отклик рынка, всё чаще появляются новые решения с поддержкой данного стандарта. Развивается и сам стандарт — буквально на днях были приняты и опубликованы спецификации CXL 3.0. А компания Microchip Technology представила новые контроллеры памяти с поддержкой CXL и двух каналов DDR4-3200 или DDR5-4800. Коммутаторы и контроллеры для среды CXL компания выпускала и ранее, но серия SMC 2000 является новинкой, которая послужит мостом между памятью DDR4/DDR5 и CXL-шиной. В новой серии представлены контроллеры с конфигурацией 8×32G (PM8701) и 16×32G (PM8702), отвечающие набору спецификаций CXL 2.0 (Type 3) и 1.1. Вариант 16×32G к тому же является самым производительным в индустрии на сегодняшний день: он поддерживает сразу 16 линий CXL, способных работать на скорости 32 ГТ/с (PCIe 5.0). Это серьёзный шаг вперёд по сравнению с контроллером SMC 1000 первого поколения, чьи возможности были ограничены формулой 8×25G. Данный чип специально разрабатывался для модулей Open Memory Interface (OMI), но данная технология практически не «взлетела», оказавшись ограниченной рамками платформы IBM POWER. В итоге все наработки по OMI и OpenCAPI были переданы в руки консорциума CXL. ![]() CXL позволит легко наращивать объёмы памяти. Источник: SK hynix Серию SMC 2000 явно ждёт более успешная судьба: новые чипы позволят создавать высокоскоростные двухканальные модули объёмом от 512 Гбайт. К тому же они поддерживают стекирование микросхем DRAM — до четырёх слоёв на канал. А это открывает дорогу к ещё более серьёзным объёмам. Более подробно о SMC 2000 можно узнать на сайте производителя.
01.08.2022 [18:41], Игорь Осколков
SK hynix вслед за Samsung представила CXL-модули DDR5SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года. Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах. Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут. SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.
07.07.2022 [02:03], Владимир Мироненко
Micron объявила о доступности серверной памяти DDR5-4800Компания Micron Technology объявила о доступности серверной памяти DDR5 для платформ серверов и рабочих станций на чипах Intel и AMD следующего поколения. Серверы с поддержкой DDR5 сейчас тестируются в ЦОД, и ожидается, что их внедрение будет расширяться в течение 2022 года. Новые модули Micron ёмкостью до 64 Гбайт уже доступны для приобретения через глобальных торговых и промышленных партнёров компании. ![]() Изображения: Micron Согласно данным Micron, переход на память DDR5 позволит повысить производительность систем на 85 % по сравнению с использованием DDR4. Новая оперативная память для серверов обеспечивает максимальную производительность для ИИ, высокопроизводительных вычислений и приложений с интенсивным использованием данных, которым требуется большая вычислительная мощность и более высокая пропускная способность памяти, чем может обеспечить DDR4. Согласно спецификации JEDEC, память DDR5 поддерживает скорость передачи данных 4800 МТ/с, что в 1,5 раза выше, чем у DDR4-3200. Благодаря улучшениям архитектуры DDR5 и встроенным возможностям управления питанием достигается оптимизация работы системы в целом. В дальнейшем ожидается появления модулей DDR5-5600 и DDR5-6400 для соответствия растущим требованиям будущих рабочих нагрузок. Micron с самого начала сотрудничала с JEDEC при разработке спецификаций DDR5 и содействовала ранней сертификации нового типа памяти в рамках программы Micron DDR5 Technology Enablement Program (TEP), единственной, по словам компании, в отрасли программы поддержки экосистемы для DDR5. Программа насчитывает более 400 участников из более чем 160 глобальных компаний.
24.06.2022 [13:05], Сергей Карасёв
TeamGroup выпустила модули DDR5-5600 с RGB-«подсветкой» и зуммером — они уведомят о проблемах с памятьюКомпания TeamGroup анонсировала модули оперативной памяти Industrial Smart Alert DDR5 Memory Module. Это первые в отрасли изделия корпоративного класса с уникальной системой оповещения о неисправностях и ошибках. Новинки подходят для применения в оборудовании для периферийных вычислений, интеллектуальных устройствах Интернета вещей (AIoT), инфраструктурах связи 5G и пр. Изделия снабжены светодиодной RGB-индикацией состояния. Зелёный цвет говорит о работе в штатном режиме, а свечение красным и синим цветом указывает на возникшие неполадки. Предусмотрены три режима оповещения — Alert, Notification и Reminder. Более того, в случае проблем устройства подают звуковой сигнал через интегрированный зуммер. ![]() Источник изображений: TeamGroup ![]() TeamGroup отмечает, что компания выпускает промышленные модули DDR5 в исполнениях U-DIMM, SO-DIMM, ECC-DIMM и R-DIMM для различных сценариев применения. Частота памяти достигает 5600 МГц, а напряжение питания равно 1,1 В. Упомянут фирменный запатентованный набор технологий T.R.U.S.T. — Temperature, Robust, Unique, S.M.A.R.T. и Trust: эти инструменты призваны повысить надёжность и стабильность работы. Дополнительную безопасность обеспечивает функция SPD Write Protection.
26.05.2022 [13:32], Сергей Карасёв
Team Group начала выпуск серверной памяти DDR5 ёмкостью до 128 ГбайтКомпания Team Group сообщила о начале выпуска модулей оперативной памяти DDR5 Industrial Server Memory, предназначенных для установки в серверное оборудование. Организовано производство изделий DDR5 ECC DIMM и DDR5 R-DIMM. Выпущенные модули обеспечивают производительность до 6400 млн пересылок в секунду (MT/s). Ёмкость достигает 128 Гбайт, а напряжение питания составляет 1,1 В. ![]() Источник изображения: Team Group Решения имеют встроенную интегральную схему управления питанием (PMIC) для точной передачи данных и повышения энергоэффективности. Кроме того, реализована фирменная запатентованная технология TRUST — Temperature, Robust, Unique, S.M.A.R.T., повышающая надёжность работы. Память может использоваться в жёстких условиях — при высоких температурах, повышенной влажности, вибрациях и пр. Говорится о совместимости с платформами Intel Eagle Stream и AMD Zen4 Genoa. Информации об ориентировочной цене на данный момент нет.
12.05.2022 [16:24], Алексей Степин
CXL-память для начинающих: Montage Technology анонсировала чип-экспандер с поддержкой DDR4 и DDR5Переход от стандартных интерфейсов на универсальный CXL открывает множество интересных возможностей. Но новый стандарт требует и соответствующей аппаратной инфраструктуры — по крайней мере, до тех пор, пока поддержка CXL не станет привычной для всех серверных компонентов. И такие решения уже появляются: компания Montage Technology представила чип-экспандер, совместимый с CXL 2.0. Новый чип Memory eXpander Controller (MXC M88MX5891) предназначен для использования в платах расширения, бэкплэйнах и модулях памяти в форм-факторе EDSFF. Он относится к классу CXL Type 3 и полностью отвечает стандартам JEDEC, обеспечивая при этом поддержку как DDR5, так и более доступной DDR4. Чип отвечает спецификациям CXL 2.0 и может задействовать всю доступную полосу PCI Express 5.0. Задержки, вносимые новым контроллером, минимальны. Это позволит наделить поддержкой CXL системы, чьи процессоры новый стандарт пока не поддерживают, и при этом как можно меньше потерять в производительности. В настоящее время компания-разработчик активно сотрудничает с известными производителям памяти, дабы выпустить решения на базе MXC как можно скорее. ![]() Впрочем, до формирования полноценной экосистемы CXL пока далеко. Грядущие процессоры AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Sapphire Rapids поддерживают в полном объёме только CXL 1.1. Тем не менее, отдельные эксперименты ведутся давно. Так, ещё в прошлом году был показан прототип системы с CXL-адаптером для связки DDR4/PCIe 5.0 на базе FPGA. |
|