Материалы по тегу: micron

10.04.2024 [14:30], Сергей Карасёв

Micron представила первый в мире 4-портовый SSD

Компания Micron Technology анонсировала изделие 4150AT: это, как утверждается, первый в мире 4-портовый SSD. Новинка может напрямую подключаться к четырём SoC одновременно, что позволяет организовать централизованное хранение данных. При этом отпадает необходимость в использовании коммутационных чипов. Новинка ориентирована на сектор интеллектуальных автомобилей, системы которых генерируют большие массивы информации.

Накопитель 4150AT выполнен на основе 176-слойной флеш-памяти TLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 (NVMe 2.0). Решение поддерживает технологию SR-IOV и позволяет обслуживать до 64 ВМ. Говорится о повышенной надёжности. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +115 °C.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

В семейство 4150AT вошли модификации вместимостью 220, 440 и 900 Гбайт, а также 1,8 Тбайт. Заявленный показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при работе с блоками данных по 4 Кбайт достигает 600 тыс. при произвольном чтении и 100 тыс. при произвольной записи. Величина MTTF (средняя наработка на отказ) превышает 10 млн часов.

Благодаря возможности подключения четырёх бортовых SoC одновременно новые SSD позволяют оптимизировать процесс хранения и обработки информации. Например, системы оказания помощи водителю при движении (ADAS) и информационно-развлекательный комплекс смогут обращаться к одному и тому же набору картографических данных. Это даст возможность снизить стоимость хранения 1 Гбайт информации и отказаться от применения дополнительных накопителей. Пробные поставки 4150AT уже начались.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1103029
24.03.2024 [02:06], Сергей Карасёв

Micron показала модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 ёмкостью 256 Гбайт

Компания Micron, по сообщению ресурса Tom's Hardware, продемонстрировала на конференции NVIDIA GTC 2024 модули оперативной памяти MCR DIMM ёмкостью 256 Гбайт для серверов следующего поколения, в том числе для систем, построенных на процессорах Intel Xeon Granite Rapids. Модули имеют увеличенную высоту, но Micron также намерена выпустить варианты стандартной высоты для серверов типоразмера 1U.

Изделия соответствуют стандарту DDR5-8800. С каждой стороны модуля расположены по 40 чипов памяти. Заявленное энергопотребление изделия составляет 20 Вт, тогда как у RDIMM объёмом 128 Гбайт при использовании профиля DDR5-4800 оно равно 10 Вт. Новые изделия Micron позволяют оснащать серверы 3 Тбайт памяти при наличии 12 слотов ОЗУ и 6 Тбайт при наличии 24 слотов.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

MCR DIMM использует специальный буфер между DRAM и CPU, который позволяет двум физическим рангам функционировать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Это позволяет извлекать из памяти вдвое больше данных за каждый такт, а также увеличить скорость обмена информацией с CPU. Таким образом, можно одновременно поднять и ёмкость, и производительность памяти.

SK hynix также поддерживает MCR DIMM, а вот AMD и JEDEC готовят альтернативный стандарт MRDIMM, который тоже поддерживает создание высокоёмких модулей DDR5-8800. Впрочем, концептуально оба решения восходят к OMI/DDIMM от IBM и даже FB-DIMM.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1102169
23.03.2024 [22:29], Владимир Мироненко

Micron уже продала всю HBM3E-память, которую выпустит в 2024 году и распределила заказы на 2025 год

Компания Micron Technology, приступившая в феврале к массовому производству передовой памяти HBM3E, сообщила, что уже имеет на руках контракты на весь объём поставок до конца 2024 года, а также на большую часть поставок в 2025 году. Память Micron HBM3E (Micron называет её HBM3 Gen2) одной из первых получила сертификацию для использования в ускорителях NVIDIA (G)H200, так что, по всей видимости, Micron станет ключевым поставщиком для NVIDIA, пишет AnandTech.

«Наша HBM распродана на 2024 календарный год и подавляющая часть наших поставок на 2025 год уже распределена, — сообщил глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) в комментариях к отчёту за II квартал 2024 финансового года. Первый продукт HBM3E от Micron представляет собой сборку 8-Hi ёмкостью 24 Гбайт с 1024-бит интерфейсом и общей пропускной способностью 1,2 Тбайт/с. NVIDIA H200 использует шесть таких модулей. Micron также начала поставки образцов сборок 12-Hi ёмкостью 36 Гбайт.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

В отчёте за II квартал 2024 финансового года Micron похвасталась результатами, которые оказались значительно выше прогнозов. Напомним, что до этого у компании были убытки пять кварталов подряд. В отчётном квартале Micron получила выручку в размере $5,82 млрд, превысив на 58 % на результат II квартала 2023 финансового года, равный $3,69 млрд, и на 23 % — результат предыдущего квартала, равный $4,73 млрд. При этом доля в общей выручке продаж DRAM составила 71 %, NAND — 27 %.

Поставки подразделения сетевых и вычислительных решений (Compute and Networking, CNBU) выросли год к году на 59 % до $2,2 млрд, мобильного подразделения (Mobile, MBU) — на 69 % до $1,6 млрд, у подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) зафиксирован рост на 28 % до $1,11 млрд, у подразделения решений для СХД — рост на 79 % до $905 млн.

Компания сообщила о прибыли в размере $793 млн или $0,71 на акцию, в то время как годом ранее у неё были убытки (GAAP) в $2,31 млрд или $2,12 на акцию. Скорректированная прибыль (non-GAAP) составила $0,42 на акцию по сравнению с убытком в $1,91 на акцию годом ранее. Согласно прогнозу аналитиков, опрошенных FactSet, у Micron должны были быть убытки (non-GAAP) в размере $0,25 на акцию при выручке в $5,35 млрд.

В текущем квартале Micron ожидает получить скорректированную прибыль (non-GAAP) в размере $0,42 на акцию при выручке в $6,6 млрд. Аналитики Уолл-стрит прогнозируют в III финансовом квартале прибыль (non-GAAP) в размере $0,09 на акцию при выручке в $6 млрд.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1102190
27.02.2024 [13:25], Сергей Карасёв

Micron начала массовое производство памяти HBM3E для ускорителей NVIDIA H200

Компания Micron Technology объявила о начале массового производства передовой памяти HBM3E. Речь идёт об изделиях ёмкостью 24 Гбайт, предназначенных для ИИ-ускорителей NVIDIA H200, которые появятся на коммерческом рынке во II квартале нынешнего года.

Чипы Micron HBM3E выполнены в виде 8-ярусного стека. Заявленная скорость передачи данных превышает 9,2 Гбит/с на контакт, а общая пропускную способность сборки превосходит 1,2 Тбайт/с. Вместе с тем, как утверждается, изделия потребляют примерно на 30 % меньше энергии по сравнению с решениями конкурентов.

 Источник изображения: Videocardz / Micron

Источник изображения: Videocardz / Micron

Micron подчёркивает, что чипы HBM3E объёмом 24 Гбайт позволяют дата-центрам беспрепятственно масштабировать различные ИИ-нагрузки — от обучения сложных нейронных сетей до ускорения инференса. Изделия выполнены по технологии 1β (1-бета) — самому передовому техпроцессу компании. Кроме того, применены другие современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Micron также сообщила, что уже в марте нынешнего года начнёт распространять образцы 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт. Они, как и изделия на 24 Гбайт, обеспечат пропускную способность свыше 1,2 Тбайт/с при высокой энергетической эффективности.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1100869
10.11.2023 [13:32], Сергей Карасёв

Micron анонсировала RDIMM-модули DDR5-8000 ёмкостью 128 Гбайт

Компания Micron Technology анонсировала модули оперативной памяти DDR5-8000 RDIMM ёмкостью 128 Гбайт для дата-центров и облачных платформ. Изделия рассчитаны на использование в системах с высокими вычислительными нагрузками: это могут быть ресурсоёмкие приложения ИИ, резидентные базы данных и пр.

Модули выполнены на основе монолитных чипов на 32 Гбит по технологии 1β (1-бета) — самому передовому технологическому процессу производителя. Применяется инновационная архитектура кристалла, обеспечивающая максимальную эффективность массива, а также самую высокую плотность DRAM.

 Источник изображения: Micron

Источник изображения: Micron

Задействованная технология, как утверждается, обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей 3DS TSV (through-silicon via). Заявлено повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности обучения ИИ до 28 %.

Реализована функция управления напряжением питания, которая помогает оптимизировать энергопотребление. Номинальное напряжение VDD, VDDQ и VPP равно соответственно 1,1 В, 1,1 В и 1,8 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C.

В 2024 году компания Micron намерена организовать поставки модулей DDR5 RDIMM на 128 Гбайт с частотой 4800, 5600 и 6400 МГц, а позднее появятся изделия с частотой до 8000 МГц.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1095758
17.10.2023 [12:01], Сергей Карасёв

Micron выпустила SSD серии 7500: U.3 ёмкостью до 15,36 Тбайт с PCIe 4.0

Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 7500, предназначенные для использования в ЦОД. Изделия ориентированы на приложения с высокой интенсивностью обработки данных, такие как задачи ИИ, сервисы доставки контента, аналитика в реальном времени, платформы социальных сетей, облачные вычисления и виртуализация.

Устройства выполнены в SFF-формате U.3 (обратно совместим с U.2). Это, как утверждается, первые в мире SSD для дата-центров, в составе которых применены 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 (спецификация NVMe 2.0b).

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

В семейство вошли накопители 7500 Pro и 7500 Max. В первом случае вместимость составляет 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Во втором случае доступны версии на 800 Гбайт, а также 1,6, 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации в зависимости от модификации варьируется от 6800 до 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — от 1400 до 5900 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт достигает 1 100 000, при произвольной записи — 410 000. Полностью показатели производительности для различных моделей выглядят следующим образом:

Габариты SSD составляют 100,45 × 70,10 × 15,00 мм. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 2.0 и о поддержке шифрования AES-256 (опционально). Показатель MTTF достигает 2,5 млн часов. Энергопотребление в активном режиме не превышает 18,3 Вт, в режиме простоя — 5 Вт.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1094550
08.08.2023 [20:48], Алексей Степин

Micron представила CXL-модули DRAM объёмом 128 и 256 Гбайт

Компания Micron Technology анонсировала доступность первых партий CXL-модулей расширения памяти CZ120 для своих партнёров. Новые модули соответствуют стандарту CXL 2.0 Type 3 и имеют двухканальную архитектуру. Они выполнены в форм-факторе E3.S 2T (PCI Express 5.0 x8) и представлены в вариантах ёмкостью 128 и 256 Гбайт.

Заявленная пропускная способность новых модулей благодаря фирменной двухканальной архитектуре составляет 36 Гбайт/с (впрочем, это может быть опечатка). В качестве сценариев применения своих новинок Micron называет ситуации, где из-за возросших нагрузок требуется всё больший объём памяти, например, для работы с ИИ или in-memory задачами — с восемью модулями CZ120 можно дополнительно получить до 2 Тбайт RAM. Также новинки должны заинтересовать гиперскейлеров.

 Источник изображений здеь и далее: Micron Technology

Источник изображений здеь и далее: Micron Technology

Но дело не только в объёмах — CZ120 выручит и там, где требуется дополнительная пропускная способность. В варианте с восемью модулями это означает дополнительные 256 Гбайт/с. CXL-модули несколько проигрывают в латентности традиционным DIMM, но «штраф» в этом случае не больше, нежели один переход в NUMA-системе.

В настоящее время компания тесно сотрудничает с Intel в деле валидации модулей CZ120 на платформе Xeon Sapphire Rapids, которая в полном объёме поддерживает лишь CXL 1.1, но не 2.0. Также новинки показали отличный результат на платформе AMD EPYC 9754 (Bergamo) в тестах TPC-H, сообщил представитель AMD.

Стоит отметить, что Micron не первой освоила DRAM-модули CXL 2.0 — ещё в мае Samsung представила свои модули объёмом 128 Гбайт в форм-факторе E3.S, всего год спустя после анонса первых в мире CXL-модулей DDR5. Свои E3.S-решения также представили SK hynix и ADATA, а Astera Labs и Montage Technology предложили экспандеры в форм-факторе плат расширения.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1091207
08.06.2023 [15:38], Сергей Карасёв

Micron представила 96-Гбайт модули памяти DDR5-4800 RDIMM

Компания Micron Technology объявила о начале массовых поставок модулей оперативной памяти DDR5-4800 RDIMM объёмом 96 Гбайт. Изделия ориентированы на ИИ-серверы, платформы НРС, системы глубокого обучения и высоконагруженные аппаратные комплексы. По заявлениям разработчика, новые модули обеспечивают вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с DDR4-3200 — 378 Гбайт/с против 189 Гбайт/с.

Память Micron DDR5-4800 RDIMM полностью совместима с процессорами AMD EPYC Genoa. Новые модули уже применяются в сервере Supermicro 8125GS. В дальнейшем изделия возьмут на вооружение и другие поставщики серверных систем. Ранее отмечалось, что «небинарные» чипы и модули DDR5 позволят сократить расходы на память, давая возможность подобрать оптимальные количество и ёмкость DIMM и не переплачивать за избыточный объём RAM.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

«Модуль Micron DDR5 DRAM ёмкостью 96 Гбайт представляет собой новое решение, разработанное с прицелом на оптимизацию совокупной стоимости владения для наших клиентов», — заявил Правин Вайдьянатан (Praveen Vaidyanathan), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Compute Products Group компании Micron.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1088079
17.05.2023 [09:22], Сергей Карасёв

Micron представила быстрые и надёжные SSD серий 6500 ION и XTR для дата-центров

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1086832
10.01.2023 [15:20], Сергей Карасёв

Micron представила серверные NVMe SSD серии 9400: U.3, 30,72 Тбайт и PCIe 4.0

Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD).

 Источник изображений: Micron Technology

Источник изображений: Micron Technology

Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт.

 Нажмите для увеличения

Нажмите для увеличения

Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.

Постоянный URL: http://www.servernews.ru/1080014
Система Orphus