SK hynix Inc. представила свои первые образцы DDR5-модулей в форм-факторе EDSFF E3.S. Новинки оснащены интерфейсом PCIe 5.0 x8 и контроллерами CXL 2.0. Массовое производство таких модулей начнётся в 2023 году. Одновременно компания представила и open source набор HMSDK для разработки решений на базе новой памяти. Он будет доступен в IV квартале 2022 года.
Первые образцы обладают довольно скромной ёмкостью (всего 96 Гбайт), но построены они на базе современных 24-Гбит чипов, изготовленных по техпроцессу 1α. Есть и ещё один нюанс — поскольку, по словам компании, массовых серверных платформ с поддержкой E3.S x8 всё ещё нет, некоторые образцы адаптирована для использования в имеющихся аппаратных платформах.
Изображения: SK Hynix
Тем не менее, интерес к новинками в том или ином виде уже выразили AMD, Dell, Intel и Montage. SK hynix, как и другие участники консорциума CXL, отмечает, что гетерогенный подход к архитектуре памяти в серверах откроет возможности для создания компонуемой инфраструктуры, а также позволит гибко выбирать необходимые уровень производительности и ёмкость DRAM. Впрочем, в полном объёме вся гибкость работы с памятью будет доступна только на платформах с поддержкой CXL 2.0, которую грядущие серверные процессоры AMD и Intel предложить не смогут.
SK hynix отмечает, что даже простое сочетание DIMM и CXL-модулей в рамках одного узла позволит существенно нарастить суммарную пропускную способность DRAM — с 260–320 Гбайт/c до 360–480 Гбайт/с. Ёмкость, правда, согласно расчётам SK hynix, вырастет с 768 Гбайт до 1,15 Тбайт. Samsung же ещё этой весной анонсировала выход 512-Гбайт CXL-модулей DDR5, а в прошлом году представила платформу Poseidon V2 с поддержкой PCIe 5.0, CXL и E3.S-модулей.
Источник:
