Компания Team Group анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 для промышленного и коммерческого секторов. Это могут быть встраиваемые компьютеры, системы периферийных вычислений, высокопроизводительные рабочие станции, автомобильные компьютеры и пр.

Отмечается, что обычно промышленная память DDR5 имеет ёмкость до 32 Гбайт на модуль. Однако с развитием облачных вычислений, IoT, платформ ИИ и Big Data потребность в наращивании ёмкости DDR5 возрастает.

Источник изображения: Team Group

Чтобы удовлетворить спрос в корпоративном сегменте, Team Group увеличила объём промышленных изделий DDR5 до 48 Гбайт. Кроме того, заказчикам будут предлагаться решения ёмкостью 24 Гбайт. Они, как говорится, обеспечивают более высокую гибкость при развёртывании приложений разного типа и позволяют клиентам лучше справляться с обработкой больших массивов данных, сложным моделированием и аналитическими задачами.

Вся промышленная память Team Group стандарта DDR5 может быть оснащена запатентованными графеновыми радиаторами, которые обеспечивают более высокую и стабильную производительность в различных температурных условиях. Новая память доступна в различных вариантах исполнения — DDR5 non-ECC U/SO-DIMM, DDR5 ECC U/SO-DIMM и DDR5 ECC R-DIMM.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.

Компания Micron Technology объявила о начале массовых поставок модулей оперативной памяти DDR5-4800 RDIMM объёмом 96 Гбайт. Изделия ориентированы на ИИ-серверы, платформы НРС, системы глубокого обучения и высоконагруженные аппаратные комплексы. По заявлениям разработчика, новые модули обеспечивают вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с DDR4-3200 — 378 Гбайт/с против 189 Гбайт/с.

Память Micron DDR5-4800 RDIMM полностью совместима с процессорами AMD EPYC Genoa. Новые модули уже применяются в сервере Supermicro 8125GS. В дальнейшем изделия возьмут на вооружение и другие поставщики серверных систем. Ранее отмечалось, что «небинарные» чипы и модули DDR5 позволят сократить расходы на память, давая возможность подобрать оптимальные количество и ёмкость DIMM и не переплачивать за избыточный объём RAM.

Источник изображения: Micron Technology

«Модуль Micron DDR5 DRAM ёмкостью 96 Гбайт представляет собой новое решение, разработанное с прицелом на оптимизацию совокупной стоимости владения для наших клиентов», — заявил Правин Вайдьянатан (Praveen Vaidyanathan), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Compute Products Group компании Micron.

Корпорация Intel, по сообщению ресурса Businesskorea, планирует открыть в Сеуле (Южная Корея) специализированную лабораторию для тестирования компонентов для дата-центров. Ожидается, что новая исследовательская площадка начнёт функционировать до конца текущего года.

Информации о размере лаборатории и планируемой численности персонала пока нет. Но известно, что Intel в рамках данной инициативы намерена взаимодействовать с южнокорейскими поставщиками серверных компонентов — прежде всего с Samsung и SK hynix. Речь идёт о тестировании передовых типов памяти, в том числе DRAM с поддержкой стандарта Compute Express Link (CXL) и DDR5.

«ЦОД-лаборатория в Сеуле будет играть важную роль в проверке и сертификации памяти DRAM для использования в оборудовании с процессорами Intel. Ожидается, что Intel в рамках новой исследовательской площадки начнёт более тесно сотрудничать с Samsung Electronics и SK hynix», — заявили осведомлённые лица.

Источник изображения: Intel

Отмечается также, что Intel намерена открыть в общей сложности шесть новых лабораторий. Помимо Южной Кореи, такие структуры появятся в США, Мексике, Китае, Тайване и Индии. Все они сосредоточатся на работах, связанных с полупроводниковыми и другими компонентами для серверов. Вместе с тем компания отказалась от проекта огромной лаборатории по разработке систем охлаждения для ЦОД будущего, который оценивался в $700 млн.

Для Intel важно укрепление позиций на рынке ЦОД. Дело в том, что выручка корпорации в соответствующем сегменте сокращается. По итогам I четверти 2023 финансового года группа Datacenter and AI Group (DCAI) показала снижение продаж в годовом исчислении на 39 % — с $6,1 млрд до $3,7 млрд. Операционные убытки составили $518 млн против $1,4 млрд прибыли годом ранее.

На ежегодной выставке Computex 2023 компания ADATA продемонстрировала свои первые модули памяти нового поколения, которые будут использоваться в современных вычислительных системах: CAMM, CXL и MR-DIMM.

Для серверных систем компания продемонстрировала решение на базе стандарта CXL 1.1 с интерфейсом PCI Express 5.0 x4, выполненное в форм-факторе E3.S. Модуль несёт на борту контроллер Montage Technology и предназначен для расширения основного объёма оперативной памяти, подобно решениям DCPMM. При этом у Samsung, например, уже есть DRAM с поддержкой CXL 2.0.

Интересно выглядит также другое серверное решение — MR-DIMM (multi-ranked buffered DIMM). Это новое поколение буферизированной памяти, поддержка которой появится в следующих поколениях процессоров AMD и Intel. По сути, такой модуль объединяет два RDIMM в одном, что позволяет поднять ёмкость и производительность «малой кровью».

Скорость этих последних новинок стартует с отметки 8400 Мт/с, максимальное значение пока составляет 17600 Мт/с. Модули MR-DIMM Adata будут поставляться в объёмах 16, 32, 64, 128 и 192 Гбайт. Одним из инициаторов создания стандарта MR-DIMM (или MRDIMM) стала AMD. Intel, Renesas и SK hynix работают над похожим решением — MCR DIMM.

Наконец, у компании уже есть готовый дизайн модуля CAMM в форм-факторе, который призван заменить SO-DIMM в компактных, сверхкомпактных и переносных системах. Интересно, что каждый модуль CAMM на базе LPDDR5 изначально будет поддерживать работу в двухканальном режиме. Правда, спецификации CAMM будут завершены только во второй половине этого года, так что некоторые характеристики могут измениться.

Компания MemVerge на суперкомпьютерной конференции ISC 2023 представила, как утверждается, первую в отрасли технологию общей мультисерверной памяти на основе стандарта Compute Express Link (CXL). Проект, получивший название Gismo (Global IO-Free Shared Memory Objects), призван повысить производительность серверных платформ.

Отмечается, что сетевые операции ввода-вывода и системы хранения являются узкими местами платформ распределённых приложений, интенсивно использующих данные. Решение Gismo как раз и призвано устранить данные проблемы. Речь идёт о концепции «бесконечной памяти».

Применены технология CXL 2.0 (PCIe 5.0), программные компоненты службы MemVerge Elastic Memory и аппаратные решения SK hynix (Niagara Pooled Memory System). Платформа позволяет хост-серверам динамически перераспределять память по мере необходимости, чтобы избежать дефицита DRAM. Иными словами, если приложению требуется больше памяти, нежели доступно физически, сервер может использовать ПО MemVerge для получения доступа к дополнительным объёмам DRAM на других серверах посредством CXL.

Источник: SK hynix

Утверждается, что революционная технология MemVerge призвана изменить ландшафт распределённых вычислений, давая компаниям возможность масштабировать свои операции и максимизировать производительность. Одним из первых участников проекта Gismo стала компания Timeplus — разработчик потоковой базы данных следующего поколения. Применение технологии позволило Timeplus значительно улучшить отказоустойчивость своей системы и повысить скорость обработки запросов.

Компания Samsung Electronics объявила о создании первой в отрасли памяти DRAM ёмкостью 128 Гбайт с поддержкой стандарта Compute Express Link (CXL) 2.0. Массовое производство изделий планируется организовать до конца текущего года. Напомним, CXL — это высокоскоростной интерконнект, обеспечивающий взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода и пр. Финальные спецификации CXL 2.0 были обнародованы в конце 2020 года.

Память Samsung DRAM на базе CXL 2.0 использует PCle 5.0 x8 и обеспечивает пропускную способность до 35 Гбайт/с. В разработке изделия принимали участие специалисты Intel. Отмечается, что с целью создания технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД, а также с производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году.

Источник изображения: Samsung

Одним из партнёров является Montage Technology: эта компания планирует организовать массовое производство контроллеров с поддержкой CXL 2.0. Стандарт CXL 2.0 позволяет формировать пулы памяти и хостам динамически выделять память по мере необходимости. Новая технология позволит клиентам повысить эффективность использования ресурсов при одновременном снижении эксплуатационных расходов.

Несмотря на тотальное торжество 3D-подхода в сфере NAND, классическая DRAM продолжает использовать лишь планарные структуры, что мешает и росту объёмов, и снижению удельной стоимости хранения оперативной памяти. Однако NEO Semiconductor обещает положить конец «плоскостной эпохе» с помощью анонсированной на днях технологии 3D X-DRAM.

Источник изображений здесь и далее: NEO Semiconductor

Компания известна своими наработками в области энергонезависимой памяти: разработанная ей технология X-NAND позволяет обойти недостатки, свойственные TLC и QLC — относительно невысокий ресурс и низкую скорость записи. Правда, массового продукта на базе данного решения до сих пор нет. А вот при создании 3D X-DRAM главное внимание было уделено повышению объёмов. Разработчики обещают, что данная технология позволит создать 230-слойные микросхемы объёмом 128 Гбит, что в 8 раз больше, чем у традиционных DRAM-чипов.

Структурно 3D X-DRAM напоминает 3D NAND и базируется на технологии беcконденсаторных ячеек памяти FBC (floating body cell), при которой для хранения заряда достаточно одного транзистора. Она достаточно проста с точки зрения технологического процесса и требует лишь одной маски для формирования вертикальной структуры. Сходство с 3D NAND, позволяющее задействовать уже освоенные технологические процессы, обеспечивает сниженную стоимость и высокую скорость внедрения 3D X-DRAM в сравнении с вариантами 3D DRAM, предлагаемыми другими разработчиками.

Первое поколение чипов DRAM нового типа может увидеть свет уже в районе 2025 года, причём компания-разработчик обещает и быстрые темпы масштабирования: стартовав с отметки 128 Гбит, к 2035 году ёмкость чипа 3D X-DRAM может достигнуть 1 Тбит. В настоящее время технология уже запатентована, а сама NEO Semiconductor планирует начать поиски лицензионных производителей, в числе которых ожидаются крупные поставщики DRAM- и NAND-решений, включая Micron, Samsung, SK Hynix, а также Kioxia с Western Digital.

Компания Weebit Nano, по сообщению ресурса Storage Newsletter, привлекла на развитие $40 млн. Деньги получены путём размещения 12 млн новых акций среди международных инвесторов. Деньги пойдут на дальнейшую разработку и вывод на коммерческий рынок технологии резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). О наработках Weebit Nano в соответствующей сфере можно узнать в нашем материале.

Продвигать ReRAM компания Weebit Nano намерена в различных сегментах. Поначалу память будет производиться по 130-нм техпроцессу фирмы SkyWater Technology. Такие изделия найдут применение в IoT-сегменте, медицинской и аэрокосмической отраслях.

Источник изображения: Weebit Nano

«Наша технология ReRAM уже продемонстрировала, что она способна масштабироваться до меньших производственных норм для сложных продуктов и обладает значительными конкурентными преимуществами по сравнению с другими существующими и появляющимися технологиями памяти», — сказал генеральный директор Weebit Nano Коби Ханох (Coby Hanoch).

Компания AMD и ассоциация JEDEC, по сообщению ресурса HotHardware, проектируют модули оперативной памяти DDR5 RAM нового типа — MRDIMM, или Multi-Ranked Buffered DIMM. Речь идёт об изделиях с многоранговой буферизацией, ориентированных на серверное оборудование. Модули обеспечат высочайшую скорость передачи данных — до 17 600 МТ/с.

По задумке разработчиков, решения MRDIMM будут объединять два модуля DDR5 с возможностью одновременного использования двух рангов. Таким образом, в случае, например, пары модулей DDR5 со скоростью работы 4400 МТ/с можно будет получить эквивалентную производительность до 8800 МТ/с.

Источник изображения: Robert Hormuth / LinkedIn

Для использования такой схемы потребуется специальный мультиплексор между оперативной памятью и CPU. Он позволит направлять в сторону процессора вдвое больше информации по сравнению с традиционными архитектурами. Аналогичный подход применяет SK hynix в своей памяти DDR5 MCR DIMM. Такой подход обеспечивает удвоение скорости работы подсистемы ОЗУ без увеличения быстродействия самих чипов памяти. По всей видимости, буферизация с применением мультиплексора добавит некоторую задержку при передаче информации, но она будет компенсироваться более высокой скоростью работы сдвоенных модулей.

Память MRDIMM первого поколения сможет функционировать с показателем 8800 МТ/с, второго — 12 800 МТ/с. А после 2030 года ожидается появление решений со скоростью до 17 600 МТ/с. Новая память может стать альтернативой дорогостоящим продуктам HBM, которые масштабируются только до определённого значения ёмкости. При этом объединение двух модулей DDR5 избавит от необходимости добавлять дополнительные ОЗУ-слоты на серверные материнские платы. Как в случае MCR, подход MRDIMM всё так же напоминает DDIMM/OMI и FB-DIMM.