Материалы по тегу: nand

12.08.2022 [22:48], Алексей Степин

Macronix представила «вычислительную» флеш-память FortiX

Сокращение дистанции между вычислительными ресурсами и ресурсами памяти породило ряд технологий, включая различные варианты «умной» DRAM, однако компания Macronix, поставщик NOR- и NAND-устройств, видит проблему иначе и предлагает перенести ряд вычислений непосредственно в специальную разновидность флеш-памяти.

С растущими объёмами данных в ряде современных сценариев, включая машинное обучение, системы не всегда могут «прокормить» вычислительные ядра, так что Macronix предлагает производить первичную обработку данных прямо во флеш-памяти. И такую память под названием FortiX Macronix представила на мероприятии Flash Memory Summit 2022.

 Источник: Blocks & Files

Источник: Blocks & Files

В данном случае речь не о классическом «вычислительном накопителе», в котором используется достаточно мощный контроллер с процессорными ядрами общего назначения или сразу FPGA. Сама структура NAND-чипов Fortix включает в себя специализированные структуры nvTCAM (non-volatile ternary content-addressable memory).

Она может выполнять достаточно узкоспециализированные вычисления, в частности, поиск по ключевым словам, и определение расстояния Хэмминга. Она работает не так быстро, как аналогичные запросы к классической DRAM, но это без учёта накладных расходов на транспортировку данных с флеш-накопителя в память и выполнение соответствующих функций с участием центрального процессора.

 Источник: Blocks & Files

Источник: Blocks & Files

В случае с FortiX флеш-память выполняет эти задачи сама, чем экономит пропускную способность и электроэнергию. В сравнении с DRAM накопитель на базе памяти FortiX может выигрывать в некоторых аспектах, предлагая плотность упаковки от 64 Гбит на чип против 8–16 у DRAM, а также потребляя около 330 мВт против примерно 1 Вт. Правда, скорость поиска на порядок ниже, зато число запросов на порядок больше, утверждает Macronix.

Компания называет областью применения FortiX различные задачи машинного интеллекта — распознавание паттернов и голоса, поиск в крупных (Big Data) массивах данных, поиск совпадения в ДНК. Подробностей о строении вычислительной части FortiX компания не приводит и некоторые зарубежные источники считают, что речь может идти о разных комбинациях NAND и специфических, настроенных под определенную задачу, обработчиках запросов.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1072076
11.08.2022 [21:05], Алексей Степин

NEO Semiconductor представила второе поколение уникальной памяти X-NAND

Технология X-NAND, впервые представленная компанией NEO Semiconductor летом прошлого года, вызвала немалый интерес, поскольку она обещает нивелировать основные недостатки, свойственные флеш-памяти с тремя и более битами на ячейку: пониженный ресурс и низкую скорость записи.

Благодаря использованию унифицированного буфера, способного одновременно обслуживать 16 столбцов (Y-Plane) и ряда других хитростей, разработчикам удалось добиться превосходства QLC X-NAND даже над классической SLC. По крайней мере, в теории. На практике компания использовала четыре слоя по 16 Y-столбцов, что позволяло писать в трёх плоскостях в SLC-режиме, четвёртая же использовалась для параллельного перевода записываемых данных в TLC-режим. Это позволило добиться постоянной скорости записи 1600 Мбайт/с — в 10 раз выше, нежели у обычного чипа TLC.

 Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor

Структура кристалла X-NAND. Источник: NEO Semiconductor

А совсем недавно было анонсировано новое, второе поколение X-NAND. Для него заявлен двукратный прирост производительности и устроены новые чипы NEO Semiconductor несколько иначе в плане параллелизма: теперь SLC-запись и TLC-уплотнение производятся в каждой паре плоскостей из четырёх имеющихся. Это и позволило поднять скорость записи вдвое, до 3200 Мбайт/с. Разработчики также сообщают о примерно трёхкратном приросте скоростей чтения/записи на случайных операциях и о некотором снижении латентности; при этом размер кристалла X-NAND второго поколения не изменился.

 Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor

Параллелизация SLC-записи и QLC-уплотнения решает проблему скорости. Источник: NEO Semiconductor

Архитектура поддерживает реализацию вариантов флеш-памяти с практически любым разумным количеством бит на ячейку, от SLC до PLC, технология же позволяет развернуть производство X-NAND на базе техпроцессов любого крупного поставщика NAND-устройств. Если верить NEO Semiconductor, речь идёт о практически нулевых затратах на модернизацию производства под выпуск X-NAND. Увы, компания официально не сообщала, готов ли кто-то из крупных игроков развернуть массовый выпуск новой памяти.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1072007
11.08.2022 [18:11], Игорь Осколков

YMTC представила PE310, свой первый серверный SSD с PCIe 4.0 и памятью Xtacking 2.0

Китайский производитель памяти YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) представил серию SSD PE310. Это первые NVMe SSD корпоративного класса с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и флеш-памятью YMTC Xtacking 2.0 третьего поколения (TLC 3D NAND), выпущенные под собственным брендом. Ранее компания предлагала под своей маркой только потребительские и встраиваемы решения.

 Изображения: YMTC

Изображения: YMTC

В серию входят 15-мм U.2-накопители для смешанных нагрузок (1,6/3,2/6,4 Тбайт) и для нагрузок, связанных с преимущественно чтением (1,92/3,84/7,68 Тбайт). В первом случае показатель DWPD равен 3, во втором — 1. Максимальная скорость последовательного чтения и записи составляет 6,2 и 4,5 Гбайт/с. Для случайных операций с 4K-блоками они составляют 1 млн и 380 тыс. IOPS соответственно. Заявленный показатель MTBF составляет 2 млн часов, а UBER — 10-17.

Диапазон рабочих температур: от 0 до +70 °C. Пиковое энергопотребление не превышает 14 Вт, но можно настроить подходящее соотношение производительности и потребления энергии. Все прочие возможности довольно стандартны для SSD такого класса: поддержка NVMe 1.4, AES-шифрование, сквозная защита целостности данных, защита от сбоев по питанию, расширенные функции самодиагностики и телеметрии, безопасная очистка накопителя и т.д.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1072001
03.08.2022 [12:39], Сергей Карасёв

ATP представила индустриальные SSD серий N700/N600 в формате M.2 2230 ёмкостью до 480 Гбайт

Компания ATP Electronics анонсировала твердотельные накопители серий N700 и N600, предназначенные для использования в промышленном и корпоративном секторах. Изделия могут применяться, в частности, в устройствах Интернета вещей, серверном оборудовании (в качестве загрузочных модулей), мобильных компьютерах и пр.

Все новинки выполнены в форм-факторе M.2 2230 с габаритами 22,0 × 30,0 × 2,5 мм. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 x4. Заявленный показатель MTBF превышает 1,5 млн часов. Решения будут предлагаться в вариантах с диапазоном рабочих температур от 0 до +70 °C и от -40 до +85 °C.

 Источник изображений: ATP

Источник изображений: ATP

Накопители серии N700 выполнены на основе чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. При этом задействована PSLC-технология (Pseudo Single Level Cell). Вместимость составляет 40, 80 и 160 Гбайт. Возможно шифрование данных по алгоритму AES с 256-битным ключом. Изделия N600 используют TLC-память в обычном режиме. Ёмкость может составлять 120, 240 и 480 Гбайт. Средства шифрования не предусмотрены.

У всех накопителей скорость последовательного чтения информации достигает 2000 Мбайт/с. Скорость последовательной записи — до 1600 Мбайт/с у версий N700 и до 1570 Мбайт/с у N600. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 135 600, при произвольной записи — 112 000. Гарантия производителя — два года.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071447
02.08.2022 [18:15], Сергей Карасёв

Seagate представила серверные U.3 SSD серий Nytro 5550 и 5350

Компания Seagate Technology анонсировала твердотельные накопители серий Nytro 5350 и Nytro 5550 в форм-факторе U.3, ориентированные на корпоративный сектор. Изделия, как утверждается, обеспечивают высокие показатели производительности и эффективности, что позволяет снизить общую стоимость владения IT-инфраструктурой. Поставки начнутся в текущем месяце. Цена пока не уточняется.

 Источник изображений: Seagate

Источник изображений: Seagate

Новинки выполнены на платформе Phison. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D eTLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 ×4. Заказчики смогут выбирать между модификациями Nytro 5350 и Nytro 5550 в корпусах толщиной 15 и 7 мм. Максимальная скорость последовательного чтения заявлена на отметке 7100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6900 Мбайт/с. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Все накопители обеспечиваются пятилетней гарантией.

 Источник изображения: Seagate

Решения серии Nytro 5350 оптимизированы для систем с интенсивным чтением. Вместимость составляет до 15,36 Тбайт. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении достигает 1,7 млн, при произвольной записи — 195 тыс. Надёжность — 1 DWPD (полных перезаписей в сутки). Изделия Nytro 5550, в свою очередь, рассчитаны на смешанные нагрузки (3 DWPD). Они имеют ёмкость до 12,8 Тбайт. Значение IOPS при произвольном чтении и записи — 1,7 млн и 470 тыс. соответственно.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071390
02.08.2022 [17:16], Сергей Карасёв

Phison и Seagate представили X1, «самую лучшую» платформу для SSD корпоративного класса

Компания Phison анонсировала аппаратную платформу X1 для создания кастомизируемых SSD корпоративного класса. Такие SSD могут применяться в дата-центрах (в том числе гиперскейлеров), системах высокопроизводительных вычислений, ИИ-комплексах и пр. Платформа X1 создана в сотрудничестве с Seagate и, по словам компаний, является лучшей в своём классе.

Платформа рассчитана на создание двухпортовых устройств U.3 PCIe 4.0 x4 NVMe с толщиной корпуса 15 или 7 мм. Основу составляют контроллер Phison E20, который пока остаётся эксклюзивом для Seagate, и 128-слойные микрочипы флеш-памяти 3D eTLC NAND (enterprise TLC) от SK hynix. Говорится об обратной совместимости с U.2-слотами.

 Источник изображений: Phison

Источник изображений: Phison

Анонсированы две разновидности накопителей с разным уровнем надёжности: 1 DWPD (полных перезаписей в сутки) и 3 DWPD. В первом случае вместимость может составлять 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт, во втором — 1,6, 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт. Заявленное энергопотребление при произвольном чтении и произвольной записи — 13,5 Вт и 17,9 Вт соответственно. В режиме простоя энергопотребление равно 6,5 Вт. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Приводятся показатели производительности для модификации ёмкостью 3,84 Тбайт (1 DWPD). Скорость последовательного чтения достигает 7400 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 7200 Мбайт/с. Количество операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 1,75 млн, при произвольной записи — до 470 тыс. По ряду показателей новинка быстрее уже имеющихся на рынке PCIe 4.0 SSD.

Phison заявляет, что её решение лидирует по производительности, энергоэффективности и совокупной стоимости владения (TCO). Новинка снабжена различными функциями для сквозной защиты целостности данных (от DRAM до чипов NAND), для защиты от сбоев по питанию, а также поддерживает SR-IOV, TCG Opal 2.0, NVMe-MI и другие привычные для подобного класса устройств стандарты.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071385
02.08.2022 [13:10], Сергей Карасёв

Китайская компания DapuStor представила SSD серии Haishen5 с интерфейсом PCIe 5.0 и ёмкостью до 32 Тбайт

Компания DapuStor анонсировала твердотельные накопители семейства Haishen5 для систем корпоративного класса и центров обработки данных, передаёт StorageReview. Изделия используют интерфейс PCle 5.0 x4 (спецификация NVMe 2.0). Пробные поставки накопителей компания организует в IV квартале нынешнего года. Информации об ориентировочной цене пока нет.

 Источник изображения: Storage Review

Источник изображения: Storage Review

Покупателям будут предлагаться модификации в различных исполнениях: E3.S, E1.S и U.2. Говорится о подготовке устройств на основе чипов флеш-памяти TLC и QLC NAND. В первом случае вместимость варьируется от 1,6 до 15,36 Тбайт, а во втором достигает 32 Тбайт. Задействован контроллер Marvell Bravera SC5.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 14 000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 8000 Мбайт/с. Величина IOPS при чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 2 800 000, при записи — до 600 000. Задержки при последовательном чтении/записи заявлены на уровне 8/9 мкс.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071340
29.07.2022 [13:36], Сергей Карасёв

Innodisk представила SSD в форматах М.2 и SFF для edge-систем

Компания Innodisk анонсировала твердотельные накопители серий 3TS6-P и 4TS2-P, оптимизированные для использования в устройствах периферийных вычислений (edge). Это могут быть сетевых хранилища данных, системы для умного города, коммерческие системы и пр.

 Источник изображений: Innodisk

Источник изображений: Innodisk

Новинки выполнены на основе флеш-памяти 3D NAND TLC. Опционально поддерживается шифрование информации по алгоритму AES. Величина MTBF (средняя наработка на отказ) превышает 3 млн часов. Заказчики смогут выбирать между двумя вариантами исполнения — стандартным и промышленным. В первом случае диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C, во втором — от -40 до +85 °C.

 Источник изображений: Innodisk

Накопители серии 3TS6-P имеют типоразмер SFF, а для обмена данными служит интерфейс SATA 3.0. Вместимость варьируется от 200 Гбайт до 3,2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 510 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 460 Мбайт/с. Изделия 4TS2-P стандарта М.2 2280 наделены интерфейсом PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Ёмкость составляет от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт. Скорость чтения — до 7100 Мбайт/с, скорость записи — до 5200 Мбайт/с.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1071142
26.07.2022 [14:43], Сергей Карасёв

TeamGroup представила индустриальные SSD серии N74V-M80 с испарительной камерой

Компания TeamGroup анонсировала твердотельные накопители промышленного класса N74V-M80, подходящие для применения в системах с высокими нагрузками, сопряжёнными с большим тепловыделением. Утверждается, что это первые в отрасли SSD, оборудованные кулером на основе испарительной камеры (VC).

TeamGroup отмечает, что в случае N74V-M80 применена проприетарная конструкция (тайваньский патент M626519), учитывающая особенности работы SSD. Кулер содержит термопрокладку, собственно испарительную камеру и алюминиевый радиатор. Эффективно отводя тепло от SSD-контроллера, это решение позволяет использовать накопитель в широком диапазоне рабочих температур — от -40 до +85 °C.

 Источник изображений: TeamGroup

Источник изображений: TeamGroup

Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC. Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x4 (спецификация NVMe 1.3). Скорость последовательного чтения информации составляет до 3445 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2520 Мбайт/с. Величина MTBF — более 3 млн часов.

В семейство N74V-M80 вошли модели на 128, 256 и 512 Гбайт. Габариты устройств — 80,0 × 23,1 × 14,5 мм. Производитель обеспечивает новинки трёхлетней гарантией.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1070872
01.07.2022 [13:24], Сергей Карасёв

Swissbit представила накопители N-30m2 с широким температурным диапазоном

Компания Swissbit анонсировала твердотельные накопители промышленного класса N-30m2, которые будут доступны в форм-факторах M.2 2280 и М.2 2242. Кроме того, выйдут изделия N-36m2 в таких же исполнениях с повышенной надёжностью. Новинки предназначены для применения во встраиваемых системах, телекоммуникационном и автомобильном оборудовании и пр.

Все изделия используют интерфейс PCIe 3.1 x4 (спецификация NVMe 1.3). Заявленный диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C. При этом накопители могут стабильно функционировать без радиатора для отвода тепла или активной системы охлаждения.

 Источник изображения: Swissbit

Источник изображения: Swissbit

В основу изделий N-30m2 положены чипы флеш-памяти 3D NAND TLC, а вместимость варьируется до 240 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорость последовательного чтения достигает 3500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3100 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольном чтении и произвольной записи блоками по 4 Кбайт — до 475 тыс. и до 525 тыс. соответственно. Утверждается, что устройства могут выдерживать до трёх полных перезаписей в сутки (показатель DWPD).

Решения N-36m2 оснащены памятью pseudoSLC; ёмкость варьируется от 80 до 320 Гбайт. Скорость чтения и записи — до 3500 Мбайт/с и 2450 Мбайт/с; значение IOPS при чтении и записи — до 190 тыс. и 525 тыс. Показатель DWPD не уточняется.

Среди прочего упомянута поддержка TCG OPAL 2.0, средств Active State Power Management (ASPM) и шифрования AES-256.

Постоянный URL: http://servernews.ru/1069275
Система Orphus