Материалы по тегу: твердотельный накопитель
16.11.2018 [22:59], Геннадий Детинич
Накопитель SMART Modular nvNITRO на памяти MRAM вышел в исполнении U.2Компания SMART Modular Technologies представила накопитель nvNITRO в форм-факторе U.2. До этого устройство распространялось в виде PCIe-адаптера с шиной PCI Express 3.0 x8. Поставки PCIe-версии накопителя SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт стартовали в мае текущего года. Анонс разработки состоялся в августе 2017 года. Версия с 2 Гбайт памяти так и не вышла. Пусть вас не смущает небольшой по современным меркам объём памяти накопителей. Зато это память Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) компании Everspin Technologies, которая, как сказано в спецификациях, имеет неограниченную устойчивость к износу. ![]() Накопитель SMART Modular nvNITRO ёмкостью 1 Гбайт в форм-факторе U.2 Другое важное преимущество у магниторезистивной памяти с записью с переносом спина электрона — это малые задержки при обращении. Задержки при чтении порядка 6,26 мкс, а задержки при записи — 7,22 мкс. Даже у хвалёных и непревзойдённых Intel Optane на памяти 3D XPoint задержки на этих операциях в пределах 10 мкс, а у обычных SSD на памяти NAND они могут быть больше на один порядок. К сожалению, всё портит низкая плотность памяти MRAM. Разработчик и производители так и не смогли наладить массовое производство магниторезистивной памяти объёмом свыше 256 Мбит на один кристалл. ![]() Информация в ячейке MRAM хранится в виде намагниченности слоёв Выпуск накопителя nvNITRO в исполнении U.2 расширяет сферу использования устройств и повышает удобство эксплуатации. Например, данный форм-фактор поддерживает горячую замену накопителей, что невозможно в исполнении карты с интерфейсом PCIe. Также nvNITRO в исполнении U.2 удобнее использовать в качестве кеширующего накопителя в стойке, установив его непосредственно в корзину с SSD или HDD, доступ к данным на которых он должен кешировать. Наиболее востребованной сферой применения накопителя nvNITRO считается область проведения финансовых транзакций, где время буквально — деньги. Производитель утверждает, что использование nvNITRO снижает время ожидания реакции финансовых приложений до 90 % по сравнению с SSD корпоративного класса. Правда, цена за накопитель обещает оказаться немалой. По форм-фактору U.2 информации пока нет, а в исполнении PCIe накопитель стоит от $2200. ![]() nvNITRO Accelerator Card Стоит также отметить высокое потребление накопителей nvNITRO. При объёме всего в 1 Гбайт устройство потребляет до 25 Вт в режиме чтение/запись в соотношении 70/30. Может так статься, что в этом вина контроллера, который выполнен на матрице FPGA, что достаточно неэффективно. Но подтверждения этому у нас нет.
12.11.2018 [14:15], Сергей Карасёв
Advantech SQFlash 920: твердотельные накопители для промышленного сектораКомпания Advantech анонсировала твердотельные накопители промышленного класса SQFlash 920: новинки подходят для использования в устройствах Интернета вещей, системах машинного зрения, автомобильных платформах и пр. ![]() Заказчики смогут выбирать между изделиями в 2,5-дюймовом исполнении U.2 (SFF-8639) PCIe/NVMe и в формате NGFF M.2 2280 (используется интерфейс PCIe Gen. 3.0 x4 / NVMe 1.3). В накопителях применены микрочипы флеш-памяти Toshiba 3D NAND BiCS 3. Упомянута поддержка команд TRIM, которые служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности устройств хранения данных. Говорится о повышенной надёжности и широком диапазоне рабочих температур, который простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. ![]() Вместимость накопителей Advantech SQFlash 920 может достигать 8 Тбайт. Скоростные показатели пока, к сожалению, не раскрываются. Сроки начала продаж и ориентировочная цена новинок будут названы позднее.
08.11.2018 [17:40], Андрей Созинов
Micron начала массовые поставки корпоративных SSD-накопителей 5210 Ion на базе QLC 3D NANDКомпания Micron начала массовые поставки твердотельных накопителей 5210 Ion корпоративного класса, построенных на микросхемах памяти типа QLC 3D NAND. В мае этого года производитель начал поставки этих накопителей ограниченному кругу клиентов, а теперь же они доступны всем желающим. ![]() Для начала напомним, что твердотельная память типа QLC предполагает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. Это обеспечивает на 33 % более высокую плотность хранения информации по сравнению с флеш-памятью типа TLC 3D NAND, которая способна вместить три бита в одну ячейку. В накопителях 5210 Ion используется 64-слойная память QLC 3D NAND собственного производства Micron. ![]() Производитель позиционирует новинки в качестве полноценной замены традиционным жёстким дискам. Твердотельные накопители обладают гораздо более высокой скоростью работы, а также занимают меньше места по сравнению с жёсткими дисками и потребляют втрое меньше энергии, что в масштабах крупных серверов может быть существенным плюсом. Отмечается, что накопители Micron 5210 Ion способны проявить себя с лучшей стороны в таких задачах, как анализ данных в реальном времени, а также в IT-проектах, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением, обработкой больших объёмов данных (Big Data), работой с базами данных и многими другими областями. Накопители Micron 5210 Ion доступны в версиях объёмом 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Во всех случаях накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и имеют толщину 7 мм. Для подключения используется интерфейс SATA III (6 Гбит/с). Для новинок заявлена скорость последовательного чтения до 540 Мбайт/с, записи — от 260 до 360 Мбайт/с в зависимости от объёма. Производительность случайного чтения достигает 70–90 тыс IOPS, а записи — всего 4,5-13 тыс IOPS. ![]() Производитель не уточняет стоимость твердотельных накопителей Micron 5210 Ion. Дистрибьютеры же на данный момент принимают предварительные заказы на новинки по цене около 21–24 цента за 1 Гбайт (получается около $1650 за модель объёмом 7,68 Тбайт). Для сравнения, розничная цена накопителей Micron 5200 ECO на базе TCL-памяти составляет 25–28 центов за гигабайт. Оптовые же цены на новые Micron 5210 Ion будут ощутимо ниже, да и розничные цены после начала продаж могут оказаться ниже 20 центов за гигабайт.
01.11.2018 [16:22], Сергей Карасёв
SSD-накопители Innodisk 3TG6-P могут работать при минус 40 градусахКомпания Innodisk анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии 3TG6-P, рассчитанные на использование в оборудовании промышленного класса. Изделия выполнены в формате 2,5 дюйма: габариты составляют 69,8 × 100,0 × 6,8 мм. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC (три бита информации в одной ячейке). Вместимость варьируется от 128 Гбайт до 4 Тбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 530 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 460 Мбайт/с. ![]() Новинки характеризуются широким диапазоном рабочих температур: от простирается от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия. Таким образом, устройства могут эксплуатироваться в самых суровых условиях. Показатель MTBF (среднее время безотказной работы), как утверждается, превышает 3 млн часов. Накопителям не страшны вибрации и удары. Среди прочего стоит выделить средства мониторинга S.M.A.R.T., а также возможность шифрования информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.
04.09.2018 [18:09], Сергей Карасёв
Новые SSD-накопители Samsung корпоративного класса вмещают до 3,84 Тбайт данныхКомпания Samsung Electronics анонсировала новые твердотельные (SSD) накопители, рассчитанные на использование в оборудовании корпоративного класса. Представлены изделия четырёх серий — 860 DCT, 883 DCT, 983 DCT и 983 ZET. Все они используют микрочипы флеш-памяти Samsung V-NAND. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. ![]() Накопители серий 860 DCT и 883 DCT выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе; для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0. При этом вместимость устройств 860 DCT варьируется от 960 Гбайт до 3,84 Тбайт, а изделий 883 DCT — от 240 Гбайт до 3,84 Тбайт. Решения серий 983 DCT и 983 ZET, в свою очередь, относятся к высокопроизводительным накопителям. Они используют интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 и стандарт NVMe 1.2b. Устройства 983 DCT выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с разъёмом U.2. Доступны два варианта ёмкости — 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. ![]() Накопители 983 ZET представляют собой карты расширения HHHL (half height, half length). Покупатели смогут выбирать между модификациями вместимостью 480 и 960 Гбайт. Со скоростными показателями всех накопителей можно ознакомиться в таблице выше. Поставки устройств серий 860 DCT, 883 DCT и 983 DCT уже начались, а изделия 983 ZET станут доступны 24 сентября. Гарантия производителя — до пяти лет.
11.08.2018 [12:18], Андрей Созинов
Intel начала поставки модулей твердотельной памяти Optane DCНа протяжении уже довольно продолжительного времени компания Intel не упускает возможности напомнить о подготовке модулей памяти Optane DC Persistent Memory. На недавнем мероприятии Intel Datacenter Summit 2018, где были обнародованы планы компании на будущее в серверном сегменте, было объявлено о начале поставок модулей Optane DC компании Google. ![]() Однако актуальные серверные процессоры Intel Xeon Skylake-SP не поддерживают работу с новыми модулями, несмотря на полную их совместимость со слотами DDR4 DIMM на уровне контактов. Данная возможность будет только у будущих Cascade Lake-SP, которые пока что даже не были представлены. Поэтому зачем Google память, которую негде использовать, пока что неясно. Хотя, возможно, Google уже имеет на руках образцы процессоров Cascade Lake-SP и как раз занимается их тестированием в реальных условиях. ![]() Также Intel пока что не раскрывает все подробности о новых модулях памяти. Неизвестна ни их латентность, ни точная скорость, ни цена, ни надёжность, ни безопасность, ни множество других особенностей. В Intel предпочитают ограничиваться лишь общими фразами, например, что модули Optane DC обладают более высокой скоростью, нежели традиционные твердотельные накопители. То есть в иерархии памяти занимают место как раз между ними. ![]() Эти модули построены на твердотельной памяти 3D XPoint. Несмотря на проигрыш в скорости традиционной оперативной памяти, у модулей Optane DC есть несколько важных преимуществ. В частности, куда больший объём за меньшую стоимость, а также наличие возможности сохранить данные даже в отсутствие питания. На данный момент Intel производит модули Optane DC объёмом до 512 Гбайт, а один процессор способен работать с шестью такими модулями.
09.08.2018 [10:20], Сергей Карасёв
Новый «линеечный» SSD-накопитель Intel вмещает 32 Тбайт данныхКомпания Intel представила новый твердотельный накопитель серии SSD DC P4500, рассчитанный на использование в корпоративном секторе. ![]() Изделие выполнено в «линеечном» форм-факторе (Ruler). Вместимость составляет внушительные 32 Тбайт. Intel утверждает, что новинка обладает самой высокой плотностью хранения информации среди всех решений компании. Полностью характеристики накопителя пока не раскрываются. Но отмечается, что в его составе задействованы 64-слойные микрочипы флеш-памяти TLC (три бита на ячейку) 3D NAND. ![]() В одном сервере типоразмера 1U можно разместить 32 твердотельных накопителя Intel в «линеечном» форм-факторе. Таким образом, может быть сформировано высокопроизводительное и в то же время компактное хранилище информации суммарным объёмом в 1 Пбайт. В качестве областей применения новинки названы системы аналитики больших данных, сервисы потоковой передачи видеоматериалов, сети доставки контента и т. п.
04.08.2018 [11:25], Сергей Карасёв
Обнародованы характеристики новых SSD-накопителей Intel для дата-центровРаскрыты ключевые технические характеристики новых твердотельных (SSD) накопителей Intel корпоративного класса, рассчитанных на центры обработки данных. Сообщается, что устройства хранения будут подразделяться на серии D1, D3, D5 и D7. В семейство D1 войдут накопители начального уровня PCIe и SATA SSD. Для решений D3 предусмотрено применение интерфейса SATA. Серия D5 будет представлена устройствами NVMe SSD большой ёмкости на основе памяти QLC NAND. Наконец, в семейство D7 войдут решения NVMe SSD на базе памяти TLC NAND для систем со смешанной нагрузкой. ![]() К выпуску, в частности, готовятся изделия Intel SSD D5-P4320. Они выполнены в формате 2,5" U.2 с толщиной корпуса 15 мм. Задействован интерфейс PCIe NVMe 3.1 x4. Применены чипы флеш-памяти 3D QLC (четыре бита информации в одной ячейке). Скорость последовательного чтения достигает 3200 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1000 Мбайт/с. Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 427 тыс. при чтении и до 36 тыс. при записи. Вместимость — 7,68 Тбайт. ![]() Кроме того, для дата-центров будут предложены накопители серий D3-S4510 и D3-S4610. Эти изделия выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсом SATA. Используется память 3D NAND TLC. Вместимость составляет 240 Гбайт, 480 Гбайт, 960 Гбайт, 1,92 Тбайт и 3,84 Тбайт. Решения D3-S4510 демонстрируют скорость чтения до 560 Мбайт/с, скорость записи — до 280–510 Мбайт/с. Показатель IOPS на операциях чтения и записи составляет соответственно 90–97 тыс. и 16–36 тыс. Изделия D3-S4610 могут считывать данные со скоростью до 560 Мбайт/с и записывать — со скоростью до 320–510 Мбайт/с. Значение IOPS на операциях чтения и записи — до 92–97 тыс. и до 28–51 тыс.
26.07.2018 [10:47], Сергей Карасёв
Ёмкость накопителей Ultrastar DC SS530 SAS SSD достигает 15,36 ТбайтКомпания Western Digital анонсировала твердотельные накопители (SSD) серии Ultrastar DC SS530 SAS, рассчитанные на использование в серверах и системах хранения данных большой ёмкости. ![]() Отмечается, что устройства разрабатывались в партнёрстве с Intel. Применены чипы флеш-памяти 3D TLC NAND. Используется форм-фактор 2,5 дюйма, толщина корпуса составляет 15 мм. Для подключения задействован интерфейс Serial Attached SCSI (SAS), обеспечивающий пропускную способность до 12 Гбит/с. В семействе представлены решения трёх типов — рассчитанные на десять (10DW/D), три (3DW/D) и одну (1DW/D) полную перезапись в день. В первом случае вместимость варьируется от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт, во втором — от 400 Гбайт до 6,4 Тбайт, в третьем — от 480 Гбайт до 15,36 Тбайт. ![]() Скорость последовательного чтения информации у всех накопителей достигает 2150 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2120 Мбайт/с. Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 440 тыс. в режиме чтения. Показатель IOPS в режиме записи достигает 320 тыс. у устройств категории 10DW/D, 240 тыс. у решений 3DW/D и 100 тыс. у изделий 1DW/D. Пробные поставки накопителей Ultrastar DC SS530 уже начались. Массовые отгрузки намечены на текущий квартал.
04.07.2018 [09:10], Сергей Карасёв
GIGABYTE CMT4032 и CMT4034: карты для установки SSD-модулей М.2 в слот PCIeКомпания GIGABYTE анонсировала изделия CMT4032 и CMT4034 — карты расширения PCIe, предназначенные для установки твердотельных (SSD) модулей формата М.2. ![]() Модель CMT4032 выполнена в виде карты PCIe Gen3 x8. Она снабжена двумя коннекторами для SSD-накопителей. Версия CMT4034, в свою очередь, соответствует стандарту PCIe Gen3 x16. Предусмотрено четыре посадочных места для модулей формата М.2. ![]() В обоих случаях могут применяться быстрые накопители NVMe. Говорится о совместимости с решениями М.2 2280 и М.2 22110 — с габаритами соответственно 22 × 80 и 22 × 110 мм. ![]() Карты расширения имеют размеры 150 × 68,9 мм. Комплект поставки включает монтажные планки стандартной и уменьшенной высоты, что позволяет использовать устройства в том числе в низкопрофильных корпусах. ![]() Новинки рассчитаны на применение прежде всего в серверах и высокопроизводительных рабочих станциях. Цена карт CMT4032 и CMT4034, к сожалению, пока не раскрывается. |
|